胡说八道模电读书笔记（2023．10．12）（2/5）

变容二极管：电压改变电容，调节谐振频率，切换频道。

肖特基二极管：单极，内部无漂移，消除少子的存储效应。金属与N型半导体，从稳定性来说，金属稳定性强，一般是金银铂金属，会获得电子，形成一个MS结，肖特基垒势。单向导电性与PN结类似。轻掺杂，低阻，高频，少电容，垒势薄容易被击穿。

光电二极管：光敏、光电传感器，工作于反向工作区。光大、反压大、垒势宽，漂移电流产生。无电源时，可做光微电源。电流小，使用时或需要放大等处理。

LED略，可进阶为激光二极管。

BJT：双极型晶体管，三极管，晶体管。PNP、NPN、CBE。画法，发射方向，由P到N。掺杂高电阻低。发射区掺杂高，集电极大，基区薄而掺杂少，结构导致其具有电流放大的作用。两个结，以NPN为例，一个是发射结，一个是集电结，两结全指向内为截止，全指向外为饱和，从上到下为放大，从下到上为倒置。掺杂越高，多子越多，扩散能力越强。除了扩散电流之外，基区内有一小部分复合电流。

放大状态，发射区扩散电子穿过基区达到集电区边界，由于此时集电区反向偏置，这些电子又漂移进入集电区，产生漂移电流，当然，基区与集电区也有部分漂移电流。发射极电流等于基极电流加集电极电流，起放大作用。由结构决定的比例关系。

共射极直流放大系数，是集电极电流比基极电流。

共基极提现了发射极电流对集电极电流的控制作用，这个比例接近1。