第241章 MPCVD（4/5）

“没错。但不光如此，”潘诗妍补充道，“由于金刚石带隙很宽，在半导体领域中，既能作为有源器件材料，像场效应管和功率开关，也能作为像肖特基二极管这样的无源器件材料。”

顿了顿，她看着陈舟又问道：“你刚才说金刚石是一种宽禁带高温半导体材料，怎么看出来的？”

陈舟看了潘诗妍一眼，想了想，既然你打开了话题，那我就不客气了。

陈舟便说道：“金刚石的带隙宽度是5.5eV，它的高载流子迁移率在4500c?/(V·s)，空穴为3c?/(V·s），高热导率在22W/(cK)，高击穿电场在10MV/c”

“而其电子载流子饱和速率在1.5×10^7到2.7×10^7cs之间，空穴载流子饱和速率在0.85×10^7到1.2×10^7cs之间，低介电常数是5.7。”

“基于这些优异的性能参数，金刚石被认为是制备下一代高功率、高频、高温及低功损耗率电子器件最有希望的材料。”

说完这些，陈舟停顿了一下，又继续说道：“虽然金刚石的储量非常稀少，但是上世纪50年代，人们便已经用石墨合成了人造金刚石。”

“而且人造金刚石和天然金刚石的结构相同、性能相近，也就很好的解决了金刚石来源的问题。”

“此外，上世纪80年代，通过建立热丝化学气相沉积装置，也就是HFCVD法，已经能够在非金刚石衬底上制备金刚石薄膜。到了90年代中期，金刚石膜沉积理论已经相对完善了。”

“虽然后来在20世纪末到21世纪初的时候，受到制备方法的制约，金刚石膜的研究不太顺利，但随着重复生长法、三维生长法及马赛克法的出现，促进了大尺寸金刚石制备的发展。”

随着陈舟的叙述的声音，他身旁的沈靖已经目瞪口呆了。

好家伙，你真的是我们数学专业的吗？

不是，你真的是我们物理和数学专业的吗？