第246章 改变历史的能力（1/5）

1958年7月，国内成功拉制出第一根硅单晶，并在此基础上，提高材料质量和改进技术工艺，于1959年实现了硅单晶的实用化。

1958年8月，为研制高技术专用109计算机，我国第一个半导体器件生产厂成立，命名为“109厂”，作为高技术半导体器件和集成电路研制生产试点工厂！

1963年制造出国产硅平面型晶体管。

1965年，国内自主研制的第一块单片集成电路诞生，步入集成电路时代仅比米国晚了7年，但是比h国早10年。

1966年109厂与魔都光学仪器厂协作，研制成功我国第一台65型接触式光刻机，由魔都无线电专用设备厂进行生产并向全国推广。

1969年109厂与丹东精密仪器厂协作，研制成功全自动步进重复照相机，套刻精度达3微米，后由京北700厂批量生产并向全国推广。

随着研究的深入，我国逐步在外延工艺，光刻技术等等领域取得了非常大进展，打下了硅集成电路研究的基础！

1975年，京北大学物理系半导体研究小组完成硅栅nos、硅栅pos、铝栅nos三种技术方案，在109厂采用硅栅nos技术，试制出中国大陆第一块1k dra，比国外要晚五年。

1975年，魔都无线电十四厂成功开发出当时国内最高水平的1024位移位存储器，达到国外同期水平；同年，中科院109厂生产出第一块1024位动态随机存储器，这一技术尽管比米国、j国晚了四五年，但是比h国要早四五年。

1978年，科学院半导体研究所成功研制4k dra，1979年在109厂成功投产，平均成品率达28。